1、在激光切割技术领域，激光发射设备能够发射激光束，通过激光束实现对待切割部件的切割，具有较高的切割精度以及切割速度。

　　2、然而，在相关技术中，激光发射的激光束会受到许多杂波干扰，影响切割效果。

　　1、鉴于上述问题，本技术提供一种激光设备、切割系统以及激光切割方法，激光设备能够对杂波进行过滤，优化切割效果。

　　2、第一方面，本技术实施例提供一种激光设备，激光设备包括安装组件、激光发射器、抗干扰件。激光发射器与安装组件连接，激光发射器被配置为发射第一波长范围的激光束。抗干扰件与激光发射器连接，抗干扰件被配置为过滤第二波长的波信号，第一波长与第二波长的波长范围不重叠。

　　3、本技术实施例提供的激光设备，通过抗干扰件的设置，并且第二波长与第一波长的波长范围不重叠，使得抗干扰件能够对第二波长范围的其他杂波进行过滤，降低第二波长对激光束发出的第一波长的影响，有利于激光发射器发出的激光束持续稳定地作用于待切割件，进而使得激光束作用于对待切割件时，制备出垂直度良好、规整不扭曲的工艺孔和/或刻痕线，提高激光设备的切割工艺水平，优化切割效果。

　　4、在一些实施例中，pg模拟器官网第二波长的波信号包括环境中的波信号或/和激光发射器发射的波信号。

　　5、本技术实施例提供的激光设备，通过第二波长波信号包括环境中的波信号或/和激光发射器发射的波信号的设置，能够使得抗干扰件对环境中的第二波长信号进行过滤，降低环境中第二波长信号与激光束的第一波长信号进行混杂的现象的发生，也能够使得抗干扰件对激光发射器本身发出的第二波长信号进行过滤，降低其他杂波对激光束发出的第一波长的影响，提高作用于待切割件的第一波长的比例。

　　7、本技术实施例提供的激光设备，通过抗干扰件与激光发射器可拆卸连接的设置，使得抗干扰件便于更换，根据不同的需求对抗干扰件进行拆卸并将需要的抗干扰件进行安装，增大了激光设备的使用范围，使其使用场景更为灵活。

　　8、在一些实施例中，激光发射器至少部分包括柱状结构，抗干扰件包括环状结构，环状结构与柱状结构形状适配并套设在激光发射器的外周。

　　9、本技术实施例提供的激光设备，通过抗干扰件的形状为环状结构的设置，利于抗干扰件与激光发射器的装配，也能够提高抗干扰件对周向的第二波长范围的干扰波进行过滤。

　　11、本技术实施例提供的激光设备，通过磁体抗干扰件的设置，能够使得磁体发热时产生的磁滞损耗和涡轮损耗过滤第二波长，提高对杂波的过滤效果。

　　13、本技术实施例提供的激光设备，通过磁体抗干扰件的不同形状的设置，使得磁体抗干扰件的形式灵活，能够适配不同的激光发射器，提高使用的范围。

　　14、在一些实施例中，安装组件包括安装架、移动导轨。移动导轨沿第一方向安装于安装架，激光发射器与移动导轨活动连接，激光发射器相对移动导轨具有沿第一方向的移动自由度。

　　15、本技术实施例提供的激光设备，通过移动导轨、安装架的设置，使得激光发射器能够移动，无需待切割件移动便可实现对待切割件不同部位的切割，切割效率高且方便使用。

　　16、第二方面，本技术实施例提供了一种切割系统，用于电极极片的制备，切割系统包括放卷设备、激光设备。放卷设备被配置为输送电极极片。上述任一项的激光设备，激光设备设置于放卷设备的下游，激光设备被配置为对电极极片进行切割。

　　17、本技术实施例提供的切割系统，通过放卷设备的设置，便于实现电极极片的按需释放，使得切割系统具有较高的自动化水平，激光设备的设置，能够对第二波长的波信号进行过滤，使得电极极片的切割工艺提高，提高电极极片的制备水平。

　　18、在一些实施例中，激光设备的数量为多个，激光发射器包括激光头，激光头能够发射激光束，至少两个激光设备成对设置，成对设置的两个激光设备的激光头相对设置且位于电极极片的两侧，沿第二方向，成对设置的两个激光设备的激光头的正投影不重叠。

　　19、本技术实施例提供的切割系统，通过激光头位于电极极片的两侧的设置，并且激光头沿第二方向不重叠，能够使得切割系统方便对电极极片的双面进行切割，利于电极极片在双面位置刻痕的形成，便于切割后的电极极片进行反复叠片设置。

　　20、在一些实施例中，切割系统还包括图像采集设备，位于激光设备的下游，图像采集设备被配置为至少采集电极极片的缺陷信息或尺寸信息中的至少一者。

　　21、本技术实施例提供的切割系统，通过图像采集设备的设置，能够及时对电极极片的切割信息进行采集，提高电极极片在制备过程中的可视化水平。

　　22、第三方面，本技术实施例提供了一种激光切割方法，适用于激光设备，激光设备包括激光发射器、抗干扰件，激光切割方法包括：根据待切割件的性能参数确定待切割件被切割时，激光发射器出射的激光束所需的第一波长范围；根据第一波长范围确定所需要抗干扰件的型号；将对应型号的抗干扰件连接于激光发射器；控制激光发射器启动并对待切割件进行切割。

　　23、本技术实施例提供的激光切割方法，通过对抗干扰件的型号进行选择并安装于激光发射器的设置，使得抗干扰件能够对所需的波信号进行过滤，方便实现抗干扰件的个性化需求，也能够使得激光发射器切割的刻痕线或工艺孔垂直度良好，形状规则。

　　24、在一些实施例中，根据第一波长范围确定所需要抗干扰件的型号的步骤包括：根据第一波长范围确定第二波长范围，第一波长范围与第二波长范围不重叠；根据第二波长范围确定抗干扰件的阻抗值；根据阻抗值确定抗干扰件的型号。

　　25、本技术实施例提供的激光切割方法，通过对抗干扰件的型号选择进一步限定，使得激光切割方法容易实现，实用性强。

　　26、在一些实施例中，待切割件包括电极极片，控制激光发射器启动并对待切割件进行切割包括：控制激光发射器发射第一激光束，控制激光发射器的第一激光束对电极极片打孔；控制激光发射器发射第二激光束，控制激光发射器的第二激光束对电极极片刻痕。

　　27、本技术实施例提供的激光切割方法，通过对电极极片的切割过程中先打孔后刻痕的限定，使得在对电极极片进行切割过程中，切割区域的热影响区宽度较小并且切割区域一致性良好，能够满足电极极片的制程需求。

　　28、在一些实施例中，激光设备包括安装组件，安装组件包括安装架、移动导轨，移动导轨沿第一方向安装于安装架，激光发射器与移动导轨活动连接，激光发射器相对移动导轨具有沿第一方向的移动自由度，激光发射器包括激光头，激光头能够发射激光束，电极极片包括相对设置的第一边缘、第二边缘，控制激光发射器发射第一激光束，控制激光发射器对电极极片打孔，包括：控制激光发射器沿第一方向移动，直至激光头在电极极片的正投影至第一边缘或第二边缘的最小垂直距离为第一预设距离，控制激光发射器停止移动；控制激光头发射第一激光束，使得电极极片形成第一工艺孔和/或第二工艺孔。

　　29、本技术实施例提供的激光切割方法，通过对电极极片进行打孔使得电极极片形成第一工艺孔和/或第二工艺孔，使得通过第一工艺孔和/或第二工艺孔容易对电极极片的打孔的位置进行定位识别。

　　30、在一些实施例中，控制激光头发射激光束，使得电极极片形成第一工艺孔和/或第二工艺孔步骤包括：控制激光头发射第一预设功率、第一预设速度的第一激光束。

　　31、本技术实施例提供的激光切割方法，通过对激光头发出的第一激光束的参数进行调整，使得第一激光束利于形成满足需求的第一工艺孔和/或第二工艺孔，使得第一激光束能够穿透电极极片形成第一工艺孔和/或第二工艺孔。

　　32、在一些实施例中，控制激光发射器发射第二激光束，控制激光发射器对电极极片刻痕，包括：控制激光发射器沿第一工艺孔的中心点与第二工艺孔的中心点的连接线移动，并控制激光头发射第二激光束，使得电极极片形成第一刻痕。

　　33、本技术实施例提供的激光切割方法，通过第一刻痕沿着第一工艺孔与第二工艺孔的中心点的连接线移动的制备，并且第一工艺孔与第二工艺孔的位置便于识别，进一步使得第一刻痕的位置更容易根据第一工艺孔与第二工艺孔的位置确定。

　　34、在一些实施例中，控制激光发射器沿第一工艺孔的中心点与第二工艺孔的中心点的连接线移动，并控制激光头发射第二激光束，使得电极极片形成第一刻痕，包括：控制激光头发射第二预设功率、第二预设速度的第二激光束，第一预设功率大于第二预设功率，第一预设速度小于第二预设速度。

　　35、本技术实施例提供的激光切割方法，通过对第一激光束、第二激光束的参数的调整，利于形成第一工艺孔、第二工艺孔，以及第一制痕，实现方便简单。

　　36、上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。

　　如您需求助技术专家，请点此查看客服电线. 高分子成型加工新技术及模具（包括外场对材料物理属性的影响机制、特种成型工艺及模具设计、复合成型技术及模具装备、模具CAD/CAE等） 2. 高分子基生化分析材料（包括生物分析专用试剂盒、高分子型试剂保护助剂等） 3. 药检分析仪器及耗材 4. 功能塑料与功能包装材料

　　1.食品科学 2.农产品加工及贮藏工程 主要研究方向： 1. 农产品保鲜与加工技术 2. 鲜切果蔬加工 3. 功能活性酚类物质加工稳定性及其留存规律 4. 超声波声化效应研究

　　1.机电一体化系统设计与开发 2.嵌入式系统设计与开发 3.工业与服务机器人技术研究